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专利名称：掺锑和稀土的氧化锡导电粉的制备方法专利类型：发明专利发明人：刘小珍
申请号：CN200410053276.2申请日：20040729公开号：CN1588567A公开日：20050302
摘要：本发明公开一种掺锑和稀土的氧化锡导电粉的制备方法。用镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、饵、铥、镱、镥、钇、钪等稀土氧化物中的一种或一种以上的稀土氧化物的混合物以及锡粉、三氧化二锑、络合剂、制成混合溶液；在不断搅拌下均匀并流滴加上述混合溶液和碱液于去离子水中，控制pH值，获得沉淀物，分别用去离子水和有机洗液洗涤沉淀物，沉淀物在40－105℃下烘干，研磨，并在400－1100℃下煅烧，得到导电粉体。这种导电粉体的平均粒径小于67纳米，电阻率低于2.1Ωcm。本发明的掺锑和稀土的氧化锡导电粉的使用温度明显提高，可超过900℃，可广泛用于导电涂层、导电纤维和导电塑料。
申请人：上海应用技术学院
地址：200235 上海市徐汇区漕宝路120号
国籍：CN
代理机构：上海申汇专利代理有限公司
代理人：吴宝根
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