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专利名称：嵌入式碳化硅的制备方法专利类型：发明专利发明人：肖天金
申请号：CN201410697251.X申请日：20141126公开号：CN104392929A公开日：20150304
摘要：本发明公开了一种嵌入式碳化硅的制备方法，包括：对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；清洗凹槽表面；原位腐蚀凹槽表面；原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。通过原子层沉积得到低缺陷和粗糙度良好的硅衬底表面，原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；得到晶格缺陷良好的SiC薄膜，有助于形成低位错缺陷的嵌入式SiC，可以在确保碳化硅薄膜低缺陷的前提下，提高NMOSFET器件的性能。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王宏婧
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