专利名称：光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的
方法
专利类型：发明专利发明人：郑载昌
申请号：CN200510137504.9申请日：20051229公开号：CN1873533A公开日：20061206
摘要：一种含氟组分的光刻胶聚合物、一种含有该光刻胶聚合物及用以降低表面张力的有机溶剂的光刻胶组合物，及一种通过在下层图案的整个表面上均匀地形成光刻胶薄膜来允许随后的离子注入过程稳定地进行来使用该光刻胶组合物制备半导体装置的方法。
申请人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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