专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法专利类型：发明专利
发明人：孟新玲,隋春飞,刘昭麟,户俊华,栗振超申请号：CN201410199594.3申请日：20140513公开号：CN103943615A公开日：20140723
摘要：本发明公开了一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法，两芯片中的一个直接倒装在基板上，另一个则贴装在前一个芯片上，所需要的工艺步骤减少，且倒装和键合的工艺难度都不高，整体的工艺难度降低，切不需要做焊点再分布，从而大大降低了封装成本。另一方面，工艺上的简单化，容易保证产品良率和生产效率。另外，该结构相比于既有的结构厚度减小，适用性更强。
申请人：山东华芯半导体有限公司
地址：250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层
国籍：CN
代理机构：济南泉城专利商标事务所
代理人：丁修亭
更多信息请下载全文后查看
