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专利名称：有机金属化学气相沉积反应器专利类型：发明专利
发明人：上野昌纪,高须贺英良申请号：CN200810177922.4申请日：20081121公开号：CN101440479A公开日：20090527
摘要：本发明提供了有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器，利用所述反应器，在使得沉积膜厚度均匀的同时，能够提高膜的沉积效率。MOCVD反应器(1)安装有基座(5)和导管(11)。基座(5)具有用于加热和承载衬底(20)的承载面。导管(11)用于将反应气体G引导到衬底(20)。基座5可以旋转，同时承载面朝向导管(11)内部。导管(11)具有管道(11b)和(11c)，其在点A4上游的导管端处合并。导管(11)的高度沿反应气体G流动方向，从点P1至点P2朝向导管下游端单调降低，从点P2至点P3保持不变，从点P3朝向下游单调降低。点P1位于点A4的上游，而点P3位于基座5上。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府大阪市
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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