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专利名称：碳酰氟的制造方法专利类型：发明专利
发明人：大野博基,大井敏夫,横尾秀次郎申请号：CN200980139487.9申请日：20091002公开号：CN102171138A公开日：20110831
摘要：本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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