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专利名称：一种双层部分SOI LIGBT器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：郭厚东,成建兵,陈旭东,滕国兵申请号：CN201610193224.8申请日：20160330公开号：CN105633140A公开日：20160601
摘要：本发明公开了一种双层部分SOI？LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI？LIGBT器件的制造方法，将常规SOI？LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。
申请人：南京邮电大学
地址：210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
国籍：CN
代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司
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