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专利名称：制作半导体器件的方法、设备、程序及产生掩模数
据的程序
专利类型：发明专利
发明人：出羽恭子,涩木俊一,坂入卓申请号：CN201010178622.5申请日：20100513公开号：CN1014175A公开日：20101124
摘要：本发明提供了制作半导体器件的方法、设备、程序及产生掩模数据的程序。用于制作半导体器件的方法包括以下步骤：读取要制作的电路的物理布局数据，并且执行计算，以将物理布局数据中的图案宽度调整预定的量；读取物理布局，并且通过使用所关注的范围以及所关注的范围附近的范围的图案密度、图案宽度以及周边长度中的至少一者进行定量计算，来对被预测当在图案上的被平坦化膜上执行平坦化处理时将会残留作为预定量以上的阶梯差的图案进行分析；以及读取被预测残留作为阶梯差的图案的数据，并且对其中不会残留预定量以上的阶梯差的布局进行修正。
申请人：索尼公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
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