第２７卷第１期 ２０１１年１月 无 机 化 学 学 报 Ｖｏ１．２７ Ｎｏ．１ １．５ ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＩＮＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ 两步法制备ＣＩＧＳ薄膜的工艺研究 廖成 韩俊峰 江 涛 谢华木 焦 飞 赵 夔 （北京大学核物理与核技术国家重点实验室，北京 １００８７１） 摘要：本文主要研究了“预制层硒化法”制备铜铟镓硒（ＣＩＧＳ）薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备Ｉｎ、Ｃｕ—Ｇａ金属预制层，然后 进行硒化（４５０℃）以及退火处理（５５０ ｑＣ）。ＳＥＭ结果表明，在室温下溅射沉积Ｉｎ薄膜，并且采用Ｍｏ／Ｃｕ—Ｇａ／ｌｎ／Ｃｕ—Ｇａ／Ｉｎ的叠层顺 序，可 获得平整致密的ＣＩＧＳ薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ测量显示，以单质硒作为硒源，在４５０℃的硒化之后生成分离的ＣＩＳ和ＣＧＳ 相，惰性氛围的高温退火可以使分离的ＣＩＳ和ＣＧＳ相互融合，形成均一化的ＣＩＧＳ四元化合物。在此基础上，最终完成的ＣＩＧＳ 电池光电转换效率为７．５％。 关键词：预制层硒化法；铜铟镓硒；金属预制层；退火 中图分类号：ＴＭ９１４．４４２；ＴＮ３０５．９２ 文献标识码：Ａ 文章编号：ｔＯ０１．４８６１（２０１１）Ｏ１—０００１—０５ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ Ｔｗｏ－Ｓｔｅｐ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ ＣＩＧＳ Ｆｉｌｍｓ ＬＩＡＯ Ｃｈｅｎｇ ＨＡＮ Ｊｕｎ—Ｆｅｎｇ ＪＩＡＮＧ Ｔａｏ ＸＩＥ Ｈｕａ—Ｍｕ ＪＩＡＯ Ｆｅｉ ＺＨＡＯ Ｋｕｉ （Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒｔａｏｒｙ ｏｆＮｕｃｌｅａｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｐｅｋｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １００８７１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ“ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｔａｃｋ ｅｌｅｍｅｎｔ ｌａｙｅｒｓ”ｔｏ ｐｒｅｐａｒｅ ＣＩＧＳ ｆｉｌｍｓ ｗａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ａｒｔｉｃｌｅ． Ｃｕ—Ｇａ ａｎｄ Ｉｎ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｌａｙｅｒｓ ｗｅｒｅ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｌｙ ｂｙ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ．ｗｈｉｃｈ ｗａｓ ｆｏｌｌｏｗｅｄ ｂｙ ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ（４５０ ｑＣ）ａｎｄ ａｎｎｅａｌｉｎｇ（５５０℃）．Ｔｈｅ ＳＥＭ ｓｈｏｗｅｄ ｔｈａｔ ＣＩＧＳ ｆｉｌｍ ａｐｐｅａｒｅｄ ｓｍｏｏｔｈ ａｎｄ ｃｏｍｐａｃｔ ｗｈｅｎ ｔｈｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ ｗｅｒｅ ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ ａｔ ｌｏｗ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｗｉｔｈ ａ ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｏ／Ｃｕ．Ｇａ／Ｉｎ／Ｃｕ．Ｇａ／Ｉｎ．Ａｆｔｅｒ ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ．ｔｈｅ ｂｉ—ｌａｙｅｒ ｆｉｌｍ ｗａｓ ａｔｔａｉｎｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ＳＥＭ ｐｉｃｔｕｒｅｓ．Ｔｈｅ ＸＲＤ ｉｎｄｉｃａｔｅｄ ｔｈａｔ ｄｏｕｂｌｅ ｌａｙｅｒｓ ｗｅｒｅ ｃｏｍｐｏｓｅｄ ｏｆ ＣＩＳ ｏｎ ｔｈｅ ｔｏｐ ａｎｄ ＣＧＳ ｏｎ ｔｈｅ ｂｏｔｔｏｍ．Ｍｏｒｅｏｖｅｒ。ｔｈｅ ｓｅｐａｒａｔｅ ＣＩＳ ａｎｄ ＣＧＳ ｐｈａｓｅｓ ｃａｍｅ ｔｏ ｔｈｅ ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ＣＩＧＳ ｐｈａｓｅ ｉｆ ａｎ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｎ ｉｎｅｒｔ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｗｉｔｈｏｕｔ ｓｅｌｅｎｉｕｍ ｗａｓ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ａｆｔｅｒ ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ．Ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅｓｅ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓ．ｔｈｅ ＣＩＧＳ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｇｏｔ ａ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｅｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ７．５％．ｆ Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｔａｃｋ ｅｌｅｍｅｎｔ ｌａｙｅｒｓ；ＣＩＧＳ；ｍｅｔａｌｌｉｃ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ；ａｎｎｅａｌｉｎｇ ０ 引 言 铜铟镓ｂ－￣ｉ（ＣＩＧＳ）薄膜电池是近年来发展最快、 最有前景的一类新型光伏电池。它具有以下优势： （１）高转换效率：目前实验室最高效率１９．９％Ｉｕ．由美 至１￥・Ｗ～；（３）抗辐射、长寿命：户外测试验证效率不 衰减［２１，适用于空间电池，如人造卫星、各种空间探 测器等。铜铟硒ｆＣＩＳ）是一种黄铜矿结构直接带隙半 导体材料．室温下其本征带宽只有１．０２ ｅＶ．引入Ｇａ 替代部分Ｉｎ可以改善禁带宽度 ．有利于提高开路 电压，进而提高光电转换效率。ＣＩＧＳ对高于其带宽的 光子具有很强的吸收，吸收系数高达１０５ ｃｍ－１。因此． ＣＩＧＳ是薄膜太阳能电池主吸收层材料的最佳选择 国国家可再生能源实验室（ＮＲＥＬ１研发．在薄膜电池 中处于领先地位；（２）低成本潜力：材料消耗量低，可 以通过工艺改进降低一次性投入．有希望将成本降 收稿日期：２０１０．０７．２７。收修改稿日期：２０１０—０８．２５。 北京市自然科学基金重点资助项目（Ｎｏ．Ｈ０３０６３００１０１２０）。 通讯联系人。Ｅ－ｍａｉｌ：ＫＺｈａｏ＠ｐｋｕ．ｅｄｕ．ｃｎ ２ 无机化学学报 第２７卷 之一。 层的方式制备Ｃｕ。Ｇａｆｆｎ金属预制层 预制层整体厚 度０．８ ｍ，Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ））ｆ．－Ｔ比大约为０．９。制备好的 金属预制层被传输到室Ｂ中进行６０ ｍｉｎ的合金化 退火处理．温度维持１５０℃，使各层相互扩散，达到 成分和物相的均一化 ｌ－２硒化热处理 目前．制备ＣＩＧＳ薄膜的方法主要有两种：“三 步共蒸法”ｆ三步法１和“预制层硒化法”（两步法）。三 步法能够在小样片上制备出高效率的电池器件．但 对控制的精确要求和工艺的复杂程度使其难以推广 到大规模生产线。相比之下。先溅射金属预制层．再 进行硒化处理的两步法Ｔ艺更简单．容易向大面积 推广 其中．金属预制层的成膜质量直接影响ＣＩＧＳ 完成合金化的样品在气氛管式炉ｆＤ１中进行硒 化热处理 这个过程分为两步：首先是硒化，温度维 膜的性能 通过优化其制备工艺．得到致密均匀的预 制层薄膜是两步法］二艺的关键１５－９１。硒化过程通常要 用到硒化氢气体［１ｏ－１２］才能取得较好的结果 这种气体 剧毒、昂贵，带来安全和成本等一系列问题，因此寻 持在４５０ ｑＣ．时间持续２０ ｍｉｎ．由一个内置硒源提 供硒气氛．整个过程管式炉中充满氩气保护，总气压 为２００ Ｐａ：第二步是高温退火．升温至５５０℃进行 ６０ ｍｉｎ热处理．总气压保持在２００ Ｐａ左右。 １．３性能及表征 本实验采用日本理学Ｄ／ＭＡＸ—ＲＡ １２ＫＷ Ｘ射 找硒化氢的替代品作为硒化过程中的硒源、制备性 能优异的ＣＩＧＳ薄膜一直是国内外研究的热点和难 点ｐ３－１８］ 本文一方面研究Ｉｎ的溅射条件和合金叠层 方式．获取优质预制层薄膜．另一方面采用单质硒丸 线衍射仪（ＸＲＤ）分析薄膜物相晶格结构．采用ＦＥＩ Ｎｏｖａ ＮａｎｏＳＥＭ ４３０场发射扫描电镜观察薄膜表面 及断面的形貌特征 代替硒化氢进行硒化．通过对薄膜形貌和晶相的分 析优化两步法 艺 ２结果与讨论 ２．１金属Ｉｎ溅射 １ 实验部分 １．１溅射Ｉｎ、Ｃｕ．Ｇａ金属预制层 从图２（ａ１ ｍ可以看出，不同温度下溅射沉积的 Ｉｎ膜．表面形貌有很大的差异 在室温基底上沉积 的Ｉｎ膜ｆａ１由２－５ ｍ大小的晶粒组成，晶粒之间尺 本实验镀膜设备如图１所示．由溅射镀膜室 （Ａ）、合金退火室（Ｂ）、硒蒸镀室（Ｃ）、硒化热处理室（Ｄ）、 隔离传输室（Ｅ１５个的真空腔室组成．每个腔室 的本底真空都达到５ｘｌＯ Ｐａ。金属Ｍｏ、Ｉｎ和合金 Ｃｕ．Ｇａ的沉积主要在Ａ室完成．采用直流脉冲溅射 度均匀且缝隙明显，薄膜比较平整但致密度不高。将 基底温度升至１００ ｃ【＝ｆ１））时，晶粒之间开始相互融合， 晶粒缝隙基本消失．开始有５～１０ ｂｔｍ的较大晶粒形 的方式。其中．Ｉｎ和Ｍｏ是单质靶．Ｃｕ—Ｇａ是合金靶 且含Ｇａ原子比为２７％．靶材的纯度均为５Ｎ ｆ９９．９９９％１，薄膜生长的基底为硼硅平面浮法玻璃ｆ２ 成．但相对于室温条件总体变化不大。继续提升沉底 温度至１５０℃甚至更高．Ｉｎ膜就会明显地分成两部 分，一是由几十纳米的纺锤状晶粒组成的“背景”．二 是在这些“背景”之上出现了大尺度的“颗粒” 由图 ２（ｃ）～ｆｆ］可以清晰地看出这种“颗粒”的生长过程：先 ａｍ）。由于Ｉｎ是低熔点金属．首先在不同温度的基 ｒ底上沉积Ｉｎ．确定合适的工作点．然后采用交替叠 由若干纺锤状小晶粒聚集成团簇ｆｃ１，然后团簇内部 相互融合．晶界消失形成单独的较大晶粒ｆｄ１．随着 温度的升高它们越长越大．在２００ ｏＣ这种大晶粒的 尺度可以超过１００ Ｉｘｍ（ｆ） 虽然“背景”部分极为平整 和致密．但这种巨大“颗粒”的存在会造成薄膜成分 偏析．不利于后续薄膜的生长．并容易在“颗粒”附近 造成电池器件内部的短路．对光电转换效率有非常 严重的影响 （Ａ）ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ，（Ｂ）ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ，（Ｃ）Ｓｅ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ 在Ｉｎ溅射的过程中必须要严格控制基底温度 ｃｈａｍｂｅｒ，（Ｄ）ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ，（Ｅ）ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ 在１００℃以内．同时还需要适当控制溅射功率．减弱 溅射过程中高能粒子轰击对衬底的加热效应．因此 本文中金属预制层采用室温溅射 图１实验镀膜系统 Ｆｉｇ．１ Ｖａｃｕｕｍ ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ｉｆｌｍｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ 第１期 廖 成等：两步法制备ＣＩＧＳ薄膜的工艺研究 ３ （ａ）ＲＴ：（ｂ）１００ ℃：（ｃ）～（ｄ）１ ５０ ℃：（ｅ）～（Ｏ ２００ ℃ 图２不同基底温度对所沉积Ｉｎ膜形貌的影响 Ｆｉｇ．２ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｓｕｂｓｔａｔｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ ｔｈｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｉｎ ｆｉｌｍｓ ２．２合金预制层 在Ｉｎ中的固溶度Ｉ１ ．所以表面的Ｉｎ易于向下层扩散 金属预制层的溅射顺序．关系到ＣＩＧ合金薄膜 的形貌．进而影响ＣＩＧＳ电池的性能 本文研究了４ 种不同的叠层方式，它们的表面形貌如图３ｆａ１～（ｄ）所 融合．利用其较强的润湿能力填补晶粒之间的空隙． 提高薄膜的致密度．同时使得表面更加平整．这与李 健等人的结论基本一致１２Ｏｌ 另一方面．Ｉｎ相对较难被 氧化．在表面可以起到一定的保护作用。基于以上原 示。可以看出，表面覆Ｉｎ的薄膜ｆｂ）比表面覆Ｃｕ．Ｇａ 的薄膜ｆａ１晶粒尺度更小更均匀，平整度较高。增加叠 层的数目ｆｃ）ｆｄ１，这种对比差异仍然存在，而且有加 剧的趋势．这是由于Ｉｎ在Ｃｕ中固溶度远高于Ｃｕ 因．结合对成分均匀性的考虑．用于硒化热处理的样 品都以图２（ｄ１：Ｍｏ／Ｃｕ．Ｇ￡Ｌ／Ｉｎ，Ｃｕ．Ｇ￡Ｌ／Ｉｎ的方式来制备 ＣＩＧ金属预制层 （ａ）Ｍｏ／ｌｎ／Ｃｕ—Ｇａ；（ｂ）Ｍｏ／Ｃｕ－Ｇａ／Ｉｎ；（ｃ）Ｍｏ／Ｉｎ／Ｃｕ—Ｇａ／Ｉｎ／Ｃｕ—Ｇａ；（ｄ）Ｍｏ／Ｃｕ—Ｇａ／Ｉｎ／Ｃｕ—Ｇａ／Ｉｎ 图３不同金属层序列的表面形貌 Ｆｉｇ．３ Ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｌａｙｅｒｓ ２．３硒化热处理 物ＣＩＧＳ．而是２种三元化合物ＣＩＳ和ＣＧＳ分层地 出现在表层和底层ｆ１ｌｌ 这种重排分层主要是由Ｉｎ、Ｇａ 在Ｓｅ氛围中的活性差异造成的。其中．Ｉｎ与Ｓｅ在 图４ｆａ１和ｆｅ１是预制层薄膜在硒化（４５０℃１后的表 面断面ＳＥＭ照片．可以发现薄膜明显地分为上下２ 层．上层由微米量级的较大晶粒组成．而靠近Ｍ０的 下层薄膜晶粒比较细碎 ＸＲＤ结果显示．薄膜中存 在铜铟硒ｆＣＩＳ１和铜镓￣（ＣＧＳ）２种结构，由于晶格常 数的差异，它们在３个主衍射峰（１１２）、（２０４／２２０）、 ２００ ｑＣ左右就能迅速地生成多种Ｉｎ．Ｓｅ二元化合物． 它们在３５０￣Ｃ就能结合Ｃｕ．Ｓｅ二元化合物形成ＣＩＳ． 因为Ｓｅ是由外界气氛引人．所以这一系列反应最先 在薄膜的表面附近进行 而Ｇａ与Ｓｅ在３００℃以下 难生成稳定的二元化合物．生成ＣＧＳ的反应更是要 到４３０ ｏＣ才开始缓慢地进行．这时已经有足够的Ｓｅ ｆ３１２／１１６）的位置上都有明显分离，如图５（ａ１。因此， 薄膜在硒化过后并没有直接生成单一相的四元化合 ４ 无机化学学报 第２７卷 图４硒化（ａ）（ｃ）以及退火（ｂ）（ｄ）后薄膜的表面、断面形貌 Ｆｉｇ．４ Ｓｕｒｆａｃｅ ａｎｄ ＣＲＯＳＳ—ｓｅｃｔｉｏｎ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ ｉｆｌｍｓ ａｆｔｅｒ ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ（ａ）（ｃ）ａｎｄ ａｎｎｅａｌｉｎｇ（ｂ）（ｄ） 扩散到薄膜内部 此外，相比于ＣＧＳ来说，ＣＩＳ的表 ｉ：ＺｎＯ／Ａ１：Ｚｎ０的常规结构完成ＣＩＧＳ电池器件。在 ＡＭ１．５的标准光照条件下，两者的，． 曲线如图６。 面能更低．易于在薄膜表面附近积聚。综合这两点因 素．硒化过程中的分层现象难以避免，这时异质结的 实际组成结构是Ｐ．ＣＩＳ／ｎ￣－ＣｄＳ．空间电荷区完全落到 表层的ＣＩＳ中．Ｇａ集中在底层并没有起到提高结区 带宽的作用 通过５５０℃的高温退火处理，可以使底 层的Ｇａ和表层的Ｉｎ相互扩散．形成均匀的ＣＩＧＳ薄 膜 硒化之后的样品分别进入Ｓｅ／Ａｒ混合氛围和Ａｒ 惰性氛围．进行ｌ ｈ ５５０℃的退火。从图５（１）１可以看 出．在含Ｓｅ气氛中退火后．虽然有更多的ＣＧＳ在高 由图可见．采用惰性氛围的退火，电池器件的输出性 能明显优于含Ｓｅ氛围退火的样品．特别是开路电压 ．的提升非常显著。这一点正好与上述ＳＥＭ和 ＸＲＤ的测量结果相互印证．由于Ｇａ向表面扩散的 增强，有效地提高了结区带宽，进而提高了电池开路 电压以及转换效率 ∞ 温下生成．但ＣＧＳ与ＣＩＳ之间仍然是分离地存在，没 有完全融合在一起．退火的作用不明显 而在惰性氛 围中退火后，图５（ｃ）中三主峰峰型均匀对称，峰位置 Ｓ ｛ 言 董 ｒ 芒 二～萼 ＝～～＼、～ 、 、 、 也明显向着晶格收缩（２０增大１的方向移动．说明ＣＩＳ 和ＣＧＳ已经完全融合．形成了单一相的ＣＩＧＳ。同时， 图４ｆｄ１断面ＳＥＭ说明。薄膜晶粒大小均匀致密，之前 图６不同退火氛围对ＣＩＧＳ电池性能的影响 Ｆｉｇ．６ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ＣＩＧＳ ｃｅｌｌｓ 显著的分层现象已经消除。结合表面形貌图４（ａ）～（ｂ１ 对比发现．退火后晶粒尺寸略有减小，但平整度和致 密性都得到了提升。由此可见。在退火过程中，含Ｓｅ 的活性气氛阻碍了Ｉｎ、Ｇａ之间的相互扩散 。在惰性 ３ 结 论 瓣 实验结果表明．用预制层硒化法．通过对各部分 氛围下才能生成均一化的ＣＩＧＳ薄膜 分别将面积均为１ ｃｍ 的样品１ｆ含Ｓｅ氛围退 工艺的优化控制．最终可以制备出表面平整、结晶致 密、物相单一的ＣＩＧＳ薄膜 ｆ１）基底过热会引起低熔点金属Ｉｎ的融合、积 聚，形成超过１００ ｍ的超大“颗粒”。严重影响薄膜 的平整度．进而导致电池内部短路。所以，在溅射过 火）和样品２（惰性氛围退火）按照ｇｌａｓｓ／Ｍ０／ＣＩＧＳ／ＣｄＳ／ ２５ ＃ ；、 Ｉ八３ 久 ３Ｏ ３５ ４Ｕ ４５ ５０ ５５ 程中需要严格控制基底温度和溅射功率 ｆ２１不同顺序的金属叠层，表面覆Ｉｎ有助于减 小晶粒尺寸、提高薄膜的致密性和平整度．从而有利 于ＣＩＧＳ薄膜的生长 ｆ３１硒化过程ｆ４５０℃１生成了ＣＩＳ和ＣＧＳ ２种三 元化合物．它们出现明显的分层现象 通过高温的退 火（５５０ ｃＣ１．能使Ｉｎ和Ｃａ相互扩散生成均一化的 ＣＩＧＳ 退火过程中Ｓｅ气氛的存在会对扩散起到阻 ２０／（。） 图５硒化（ａ）、硒气氛退火（ｂ）以及惰性氛围退火（ｃ） 后样品的ＸＲＤ图 Ｆｉｇ．５ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ ａｆｔｅｒ ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ（ａ）， ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｉｎ Ｓｅ／Ａｒ（ｂ）ａｎｄ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｉｎ Ａｒ（ｃ） 碍作用．在Ａｒ纯惰性氛围下退火是更好的选择。 第１期 廖成等：两步法制备ＣＩＧＳ薄膜的工艺研究 ５ 参考文献： 【１］Ｒｅｐｉｎｓ Ｉｎｇｒｉｄ，Ｃｏｎｔｒｅｒａｓ Ｍ，Ｅｇａａｓ Ｂ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｏｇ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ： Ｒｅｓ．Ａｐｐ１．，２００８，１６：２３５—２３９ 【２】Ｐｏｗａｌｌａ Ｍ，Ｄｉｍｍｌｅｒ Ｂ．Ｔｈｉｎ Ｓｏ Ｆｉｌｍｓ，２０００，３６１・３６２： ５４０．５４６ Ｉ３ Ｓｈａ３Ｉｆａｒｍａｎ Ｗ，Ｋｌｅｎｋ Ｒｅｉｎｅｒ，ＭｃＣａｎｄｌｅｓｓ Ｂ． Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．， １９９６，７９（９）：７３２４—７３２８ ［４］Ｌｕｎｄｂｅｒｇ Ｏ，Ｅｄｏｆｆ Ｍ，Ｓｔｏｈ Ｌ．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ 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Ｈｕｉ ｆ张辉），ｅｔ ａ１．Ｃｈｉｎ．Ｊ＝Ｓｅ・ｍｉｃｏｎｄｕｃｔ．（Ｂａｎｄａｏｔｉ Ｘｎｅｂａｏ）， ２００４，２５（６）：７４１—７４４ 【１５］ＨＡＮ Ｄｏｎｇ—Ｌｉｎ（￣东麟），ＺＨＡＮＧ Ｇｏｎｇ（￣，弓），ＺＨＵＡＮＧ Ｄａ．Ｍｉｎｇ（Ｆ￣大明），ｅｔ ａ１． Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．（Ｇｏｎｇｎｅｎｇ Ｃａｉｌｉａｏ）， ２００８，３９（３）：４４６－４５２ 【１６］ＺＨＡＮＧ Ｊｉａ—Ｙｏｕ（张加友），ＧＯＮＧ Ｘｉａｏ—Ｂｏ（龚晓波），ＬＩＵ Ｗｅｉ—Ｙｉ（刘维一），ｅｔ ａ１．Ａｃｔａ Ｅｎｅｒｇ．Ｓｏ１．Ｓｉｎ．（Ｔａｉｙａｎｇｎｅｎｇ Ｘｕｅｂａｏ），２００３，２４（３）：３３５—３３９ ［１７］ＨＡＮ Ｄｏｎｇ—Ｌｉｎ（￣东麟），ＺＨＡＮＧ Ｇｏｎｇ（弓），ＺＨＵＡＮＧ Ｄａ—Ｍｉｎｇ（￣大明１．ｅｔ ａ１．Ａｃｔａ Ｅｎｅｒｇ．Ｓｏ１．Ｓｉｎ．（Ｔａｉｙａｎｇｎｅｎｇ Ｘｕｅｂａｏ），２００９，３０（４）：４２６—４２９ ［１８］ＨＡＮ Ｄｏｎｇ—Ｌｉｎ（￣东麟），ＺＨＡＮＧ Ｇｏｎｇ（张弓），ＺＨＵＡＮＧ Ｄａ—Ｍｉｎｇ（庄大明），ｅｔ ａ１．Ｃｈｉｎ． Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ１． （Ｚｈｅｎｋｏｎｇ Ｋｅｘｕｅ Ｙｕ Ｊｉｓｈｕ Ｘｕｅｂｏｏ），２００８，２８（３）：２３５—２３９ 【１９］Ｆｅｄｏｒｏｖ Ｐ Ｉ，Ａｋｅｈｕｒｉｎ Ｒ Ｋ，Ｔｒａｎｓｌａｔｅｄ ｂｙ ＺＨＡＮＧ Ｑｉ— Ｙｕｎ（张启运），ＸＵ Ｋｅ—Ｍｉｎ（徐克敏）．Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆＩｎｄｉｕｍ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（￣化学手册）．Ｂｅｉｊｉｎｇ：Ｐｅｋｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ， ２００５：２９６—２９７ 【２０］ＬＩ Ｊｉａｎ（￣），ＺＨＵ Ｊｉｅ（朱洁）．Ａ ｃｔａ Ｅｎｅｒｇ．Ｓｏ１．Ｓｉｎ． （Ｔａｉｙａｎｇｎｅｎｇ Ｘｎｅｂａｏ），２００８，３９（３）：３ １ ２—３ １ ８ 『２１］Ｃａｂａｌｌｅｒｏ Ｒ，Ｇｕｉｌｌｅｎ Ｃ．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｄｉ Ｆｉｌｍｓ，２００２，４０３—４０４： １Ｏ７—１ｌｌ 【２２］Ｌｕｎｄｂｅｒｇ Ｏ，Ｌｕ Ｌ Ｒｏｃｋｅｔｔ Ａ，ｅｔ ａ１． Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ， ２０ｏ３．６４：１４９９—１５０４ 【２３］Ｍａｒｕｄａｃｈａｌａｍ Ｍ，Ｂｉｒｋｍｉｒｅ Ｒ，Ｈｉｃｈｒｉ 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