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专利名称：处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法专利类型：发明专利
发明人：A·恩德罗斯,K·-H·艾森里思,G·马丁奈利申请号：CN95120318.5申请日：19951027公开号：CN1149760A公开日：19970514
摘要：晶体硅的半导体片和由此片制造的元件，例如，太阳能电池，因为材料的易碎性，使其增加破裂的危险，为了保证可靠的处理，要求有一最小厚度。为了改善处理，提供具有大面积机构保护层的半导体片，接着对此半导体片进行成型处理。
申请人：西门子公司,西门子太阳有限公司
地址：联邦德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理()有限公司
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