专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种磁控溅射台以及磁控溅射装置专利类型：发明专利发明人：薛金祥,孙中元,周翔申请号：CN201710002814.2申请日：20170103公开号：CN106756779A公开日：20170531
摘要：本发明实施例提供一种磁控溅射台以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射工艺技术领域，能够避免仅通过调整掩膜板与支撑该掩膜板的支撑架之间的垫片数量，导致待成膜基片与掩膜板之间距离的调整精度较低的问题。该磁控溅射台包括掩膜板、升降机构以及待成膜基片。待成膜基片位于升降机构的承载面上，且掩膜板位于待成膜基片背离所述升降机构的一侧。升降机构用于根据升降指令上升或下降，以对待成膜基片和掩膜板之间的距离进行调整。
申请人：京东方科技集团股份有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人：申健
更多信息请下载全文后查看
