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专利名称：形成于半导体基板上的导电凸块及其制法专利类型：发明专利
发明人：简丰隆,林怡宏,陈宜兴申请号：CN201210098106.0申请日：20120405公开号：CN103325760A公开日：20130925
摘要：一种形成于半导体基板上的导电凸块及其制法，该半导体基板上具有多个接点及一绝缘保护层，其中，该绝缘保护层形成有外露该接点的多个开孔，该导电凸块设于该开孔中的接点上，且该导电凸块与该开孔的孔壁间具有间距，借以使该导电凸块与绝缘保护层之间不具交界接口，以避免导电凸块因应力集中于不同材质的交界接口上而发生剥落。
申请人：矽品精密工业股份有限公司
地址：中国台中市
国籍：CN
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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